Зависимость между микроструктурой материала и качеством
высоковольтных изоляторов
(Продолжение)
Анализ рассмотренных микроструктур позволил сделать следующие выводы об исследованных параметрах:
- поры — образцы А и В имеют приблизительно одинаковую степень пористости, на образце С пор меньше. Их размеры от 2 до 30 мкм (см. рис. 3, а, б, в);
Рис. 4. Микроструктура образца В,
снятая на микроскопе РЭМ с увеличением 3000:1 и 5000:1
Рис. 5. Микроструктура образца В (полированный шлиф), снятая на микроскопе РЭМ с увеличением 5000:1
Рис. 6. Микроструктура образца С (полированный шлиф), снятая на микроскопе РЭМ:
а — увеличение 1000:1; б — увеличение 3000:1 и 5000:1
- поры — образцы А и В имеют приблизительно одинаковую степень пористости, на образце С пор меньше. Их размеры от 2 до 30 мкм (см. рис. 3, а, б, в);
|
Рис. 4. Микроструктура образца В, снятая на микроскопе РЭМ с увеличением 3000:1 и 5000:1 |
|
Рис. 5. Микроструктура образца В (полированный шлиф), снятая на микроскопе РЭМ с увеличением 5000:1 |
|
|
а — увеличение 1000:1; б — увеличение 3000:1 и 5000:1